Toshiba уместила больше чипов в стандартный модуль
Toshiba разработала новую технологию производства микросхем, увеличивающую количество компонентных слоёв, помещаемых в стандартный многокристальный модуль (МСР), на 50%. Технология МСР позволяется устанавливать несколько чипов один на другой и заключать их в один корпус. Это широко используется в мобильных телефонах из-за надобности сохранять малым общий размер трубки. Производители Японии стандартизировали МСР высотой 1,4 мм. Новая технология позволяет установить подобным образом до 9 чипов внутри одного многокристального модуля, что соответствует спецификациям производителей телефонов, сказал представитель Toshiba Джуничи Нагаки (Junichi Nagaki). До этого самая продвинутая технология Toshiba позволяла установку друг на друга до 6 чипов.
Такое улучшение стало возможным благодаря усовершенствованной технологии крепления и прогрессу технологии производства микросхем, которая уменьшила толщину чипов с 85 до 70 нанометров, сказал Нагаки.
Для пользователей мобильных телефонов и прочей малогабаритной портативной электроники эта технология позволит производителям выпускать аппараты меньшего размера, так как чипы могут быть собраны в единый корпус, или производить функционально более богатые и мощные продукты, потому что дополнительная память и другие компоненты могут быть добавлены не жертвуя размером.
Toshiba уже начала производство образцов таких микросхем и планирует начать массовое производство в мае, сказал Нагаки. Это образцы содержат четыре типа памяти, разделённые тремя прокладками: один чип объёмом 8 Мб типа SRAM (статический RAM), один чип 128 Мб Sdram (синхронный DRAM), тремя чипами флэш-памяти по 128 Мб типа NOR и одним чипом памяти 128 Мб типа NAND. МСР так же включает три шины данных, таким образом память может быть соединена с процессором на частоте, которая подходит данному типу памяти.
Источник: по материалам сайта ComputerWeekly.com.
Такое улучшение стало возможным благодаря усовершенствованной технологии крепления и прогрессу технологии производства микросхем, которая уменьшила толщину чипов с 85 до 70 нанометров, сказал Нагаки.
Для пользователей мобильных телефонов и прочей малогабаритной портативной электроники эта технология позволит производителям выпускать аппараты меньшего размера, так как чипы могут быть собраны в единый корпус, или производить функционально более богатые и мощные продукты, потому что дополнительная память и другие компоненты могут быть добавлены не жертвуя размером.
Toshiba уже начала производство образцов таких микросхем и планирует начать массовое производство в мае, сказал Нагаки. Это образцы содержат четыре типа памяти, разделённые тремя прокладками: один чип объёмом 8 Мб типа SRAM (статический RAM), один чип 128 Мб Sdram (синхронный DRAM), тремя чипами флэш-памяти по 128 Мб типа NOR и одним чипом памяти 128 Мб типа NAND. МСР так же включает три шины данных, таким образом память может быть соединена с процессором на частоте, которая подходит данному типу памяти.
Источник: по материалам сайта ComputerWeekly.com.
Ещё новости по теме:
18:20