Samsung удвоила емкость чипов памяти
Компания Samsung приступила к производству первого в индустрии 64-гигабитного (8 ГБ) NAND-чипа с технологией 3 bit per cell, выполненного на базе 20-нм технологического процесса. Данный продукт может быть использован во внешних накопителях, SSD, памяти смартфонов и картах памяти.
Новый чип на 14% меньше в сравнении с чипом, запущенным в производство в ноябре 2009 г. Выполненный на базе тех же технологией, что и сегодняшняя разработка, прежний чип памяти был не только больше, но и вмещал вдвое меньше информации.
Запуск в производство новой микросхемы является очередным этапом развития полупроводникового бизнеса Samsung, отметили в компании. Так, например, в апреле Samsung впервые приступила к выпуску чипов емкостью 4 ГБ, выполненных на базе 20-нм техпроцесса.
Новый чип на 14% меньше в сравнении с чипом, запущенным в производство в ноябре 2009 г. Выполненный на базе тех же технологией, что и сегодняшняя разработка, прежний чип памяти был не только больше, но и вмещал вдвое меньше информации.
Запуск в производство новой микросхемы является очередным этапом развития полупроводникового бизнеса Samsung, отметили в компании. Так, например, в апреле Samsung впервые приступила к выпуску чипов емкостью 4 ГБ, выполненных на базе 20-нм техпроцесса.
Ещё новости по теме:
18:20