Samsung запускает в производство фазовую память для потребительской электроники

Компания Samsung Electronics объявила о намерении до конца июня приступить к массовому производству фазовой памяти для мобильных телефонов. Память будет поставляться в виде 512-мегабитовых (64 МБ) решений multi-chip package (многочиповая упаковка, MCP). Она будет обратно совместима с 40-нм флэш-памятью типа NOR как на аппаратном, так и программном уровне, что позволит не менять конструкцию устройств, отмечается в пресс-релизе.

Работа фазовой памяти со случайным доступом (phase-change RAM, PRAM) базируется на изменении характеристик базового вещества – сплава германия, сурьмы и титана. PRAM работает в 3 раза быстрее по сравнению с NOR-памятью, используемой в современной электронике. Фазовая память сочетает свойство энергонезависимой памяти хранить информацию при отключенном электропитании и скорость работы оперативной памяти DRAM.

Инженеры Samsung полагают, что PRAM более широко начнет использоваться в 2011 г. и в конечном счете заменит NOR-память. Помимо мобильных телефонов, такая память может использоваться в другой электронике, включая медиаплееры, портативные игровые приставки, персональные навигаторы и так далее, а также в SSD-накопителях – везде, где необходима большая плотность и высокая скорость работы.