Очередной прорыв в создании фазовой памяти

Корпорация Intel и компания Numonyx объявили о значительном прорыве в создании Phase Change Memory (PCM) – нового типа энергонезависимой памяти, основанной на фазовых переходах в состоянии вещества. Стороны разработали способ наложения слоев такой памяти друг на друга, что открывает возможность создания высокоскоростных систем хранения данных с более высокой плотностью записи информации, меньшим потреблением энергии и миниатюрными размерами, отмечается в пресс-релизе.

В рамках совместных исследовательских работ компании разработали метод производства вертикально интегрированных ячеек PCM(S). Каждая такая ячейка включает два элемента, находящиеся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). В совокупности PCM(S) формируют узловой массив. Возможность накладывать слои PCM(S)-ячеек друг на друга позволяет увеличивать плотность хранения информации, сохраняя характеристики однослойной фазовой памяти.

Ячейки фазовой памяти создаются путем соединения элемента хранения данных и переключающего элемента. Использовать PCM в качестве элемента хранения данных пытались давно, но ранее использовалось сразу несколько типов переключающих элементов, что приводило к ограничениям массивов по размеру и эффективности. Инженеры Intel и Numonyx смогли использовать тонкопленочный двухтерминальный OTS в качестве переключающего элемента. Он соответствует физическим и электрическим свойствам PCM, открывая возможность масштабирования.

Intel и Numonyx соединяют ячейки памяти с CMOS-структурами, которые обеспечивают логические функции и преобразование сигналов. Разработчики продемонстрировали, что сброс информации, хранимой в ячейках, выполняется за 9 нс, и сама память не теряет свойств даже в после 1 млн циклов перезаписи.