IBM утроит производительность транзисторов с помощью германия

Компания IBM продемонстрировала новую технологию, позволяющую улучшить показатели транзисторов. Благодаря ей транзисторы можно будет изготавливать меньшими по размеру и более мощными. Их выпуск компания намерена наладить в течение следующего десятилетия.

Специалисты IBM разработали технологию, которая использует германий для улучшения потоков электронов через транзистор. Новые транзисторы будут обладать в три раза большей производительностью, чем ныне существующие. Ученые еще раньше знали, что германий отличается лучшей проводимостью, нежели кремний. Однако используемые технологии не позволяли найти способ, каким образом увеличить концентрацию германия в чипах.

Более подробную информацию о новой технологии представители IBM планируют раскрыть на конференции 2004 International Electron Devices Meeting (IEDM), которая состоится на следующей неделе в Сан-Франциско. Разработка находится на начальной стадии, однако специалисты уверены, что построенные на основе 32- нанометровой технологии, транзисторы можно будет выпускать в 2013 году.