IBM намерена утроить быстродействие транзисторов

Корпорация IBM разработала новую технологию производства транзисторов, которая, как ожидается, в перспективе позволит создавать полупроводниковые микросхемы по нормам 32-нанометрового техпроцесса.

В основе предложенной методики лежит применение напряженного германия. Кристаллы напряженного германия отличаются увеличенным расстоянием между узлами кристаллической решетки. Это обеспечивает повышение скорости движения электронов и, соответственно, повышение быстродействия всего транзистора в целом. Причем, по заявлениям специалистов "Голубого гиганта", речь идет, как минимум, о трехкратном улучшении характеристик по сравнению с микросхемами из напряженного кремния. Подобные показатели достигаются, прежде всего, за счет нанесения тончайшего слоя германия на затвор транзистора.

Ожидается, что разработанная технология будет использоваться на практике к 2010-2013 гг. при производстве микропроцессоров по 32-нанометровым нормам. В настоящее время компьютерные чипы выпускаются по 130-нанометровой и 90-нанометровой технологиям. К 2006 году ведущие производители намерены освоить 65-нанометровый техпроцесс. Кстати, полнофункциональную микросхему SRAM, изготовленную по 65-нанометровой методике, уже продемонстрировала корпорация Intel: чип имеет емкость 70 Мбит и содержит 500 миллионов транзисторов.