Samsung разработала чип для SIM-карт со 128 Мб флэш-памяти

Samsung Electronics сообщила о разработке микросхемы для SIM-карт, предназначенных для использования в мобильных 3G-телефонах — S3FJ9CH, которая снабжена 128 Мб флэш-памяти NAND. Кроме этого, в ней имеется 32-разрядное процессорное ядро SC200 на основе архитектуры ARM, Java-ускоритель, аппаратные средства DES- и AES-шифрования и криптопроцессор PKI. Также в данном чипе реализована поддержка высокоскоростных интерфейсов MMC и USB 2.0. К массовому производству представленных микросхем Samsung рассчитывает приступить во второй половине следующего года (в настоящее время она приступила к опытным их поставкам производителям SIM-карт).

Одновременно южнокорейская копания анонсировала две новых микросхемы для смарт-карт, одна из которых — S3CC91H — оборудована 512 Кб выстроенной памяти EEPROM (Electrically Erasable and Programmable ROM), а другая — S3FJ9SK — 1 Мб флэш-памяти NOR (наибольший сегодня объем, доступный на смарт-картах).