Микросхема и модуль DRAM от Samsung: 40-нанометровая технология

Компания Samsung сообщила о создании и проверке первой микросхемы и модуля DRAM с применением 40-нанометровой технологии. Новый компонент DDR2 емкостью 1 гигабайт и соответствующий модуль SODIMM DDR2 емкостью 1 гигабайт со скоростью работы 800 мегабит в секунду, созданные по 40-нанометровой технологии, прошли сертификацию по программе проверки соответствия платформе Intel для применения с серией чипсетов Intel GM45 Express для мобильных устройств.


Ожидается, что переход на 40-нанометровую технологию ускорит время выхода новой продукции на рынок примерно на 50 %, так что оно составит всего год. К концу 2009 года компания Samsung планирует применять 40-нанометровую технологию и в массовом производстве 2-гигабайтных модулей DDR3.

Применение 40-нанометровой технологии позволит снизить напряжение питания по сравнению с устройствами, произведенными по 50-нанометровой технологии, а это, по прогнозам компании Samsung, должно сократить энергопотребление примерно на 30 %. Более точное изготовление узлов микросхем DRAM, к тому же позволит увеличить производительность примерно на 60 % по сравнению с устройствами, изготовленными с применением 50-нанометровой технологии.

Кроме того, предполагается, что внедрение 40-нанометрового процесса станет важным шагом на пути к разработке технологий создания суперпроизводительных компонентов DRAM нового поколения, DDR4.