Samsung провела проверку первой 40-нм микросхемы DRAM

Герд Шаусс, директор Samsung Semiconductor Europe по маркетингу памяти, сказал: «Будучи лидером в применении наиболее эффективных средств в области создания DRAM, мы еще раз подчеркнули свои стремления. Мы использовали самую инновационную технологию и проверили ее пригодность к работе на определенной платформе и в системе».

Ожидается, что переход на 40-нанометровую технологию ускорит время выхода новой продукции на рынок примерно на 50%, так что оно составит всего год. К концу 2009 г. компания Samsung планирует применять 40-нанометровую технологию и в массовом производстве 2-гигабитных устройств DDR3.

Применение 40-нанометровой технологии позволит снизить напряжение питания по сравнению с устройствами, произведенными по 50-нанометровой технологии, а это, по прогнозам компании Samsung, должно сократить энергопотребление примерно на 30%.

Более точное изготовление узлов микросхем DRAM к тому же позволит увеличить производительность примерно на 60% по сравнению с устройствами, изготовленными с применением 50-нанометровой технологии.

Кроме того, компания Samsung предполагает, что внедрение 40-нанометрового процесса станет важным шагом на пути к разработке технологий создания суперпроизводительных компонентов DRAM нового поколения, DDR4.