Samsung начинает производство 50-нм памяти GDDR5

Южнокорейский электронный гигант сообщил о начале серийного выпуска графической памяти GDDR5 с использованием техпроцесса «50-нанометрового класса». Новая память поддерживает максимальную скорость обмена 7,0 Гбит/с. Это соответствует пропускной способности 28 ГБ/с, что вдвое превосходит показатель памяти GDDR4, равный 12,8 ГБ/с, сообщает ixbt.

 

В отличие от памяти GDDR4, в которой операции обращения жестко связаны с тактовой частотой, GDDR5 имеет преимущество в быстродействии, обуславливаемое отсутствие необходимости синхронизации между импульсами тактовой частоты и сигналами, соответствующими функциям чтения и записи.

 

Применение норм «50-нанометрового класса», как ожидает компания, позволит вдвое повысить эффективность производства по сравнению с производством, в котором применяется 60-нанометровый техпроцесс. Кроме того, память Samsung GDDR5 работает при напряжении питания 1,35 В, что соответствует снижению энергопотребления на 20% по сравнению с памятью GDDR4, которой необходимо напряжение 1,8 В.

 

Поставки компонентов плотностью 32 Мбит x32, которые можно конфигурировать, как 64 Мбит x16, уже начались. Компания рассчитывает, что поставки памяти GDDR5 составят не менее 20% от поставок всей графической памяти в текущем году.