Samsung увеличил плотность записи данных во флэш-памяти
Компания Samsung разработала первый в мире чип оперативной памяти DDR3 емкостью 4 Гб (512 МБ), изготовленный с использованием 50-нм технологического процесса.
Новый чип открывает возможности по созданию RDIMM-модулей оперативной памяти для серверов емкостью 16 ГБ, DIMM-модулей для настольных ПК емкостью 8 ГБ и модулей SODIMM для ноутбуков емкостью 4 ГБ. Благодаря новой разработке память ноутбука, например, может быть равна 8 ГБ при использовании всего двух плат.
Рабочее напряжение чипов составляет 1,35 В, что на 20% ниже по сравнению с более ранними чипами DDR3 корейского поставщика. Максимальная скорость передачи данных составляет 1,6 Гбит/с, то есть 200 МБ в секунду.
Когда компания собирается приступить к поставкам данных микросхем не сообщается.
Новый чип открывает возможности по созданию RDIMM-модулей оперативной памяти для серверов емкостью 16 ГБ, DIMM-модулей для настольных ПК емкостью 8 ГБ и модулей SODIMM для ноутбуков емкостью 4 ГБ. Благодаря новой разработке память ноутбука, например, может быть равна 8 ГБ при использовании всего двух плат.
Рабочее напряжение чипов составляет 1,35 В, что на 20% ниже по сравнению с более ранними чипами DDR3 корейского поставщика. Максимальная скорость передачи данных составляет 1,6 Гбит/с, то есть 200 МБ в секунду.
Когда компания собирается приступить к поставкам данных микросхем не сообщается.
Ещё новости по теме:
18:20