Новые чипы памяти от Samsung увеличат объём ОЗУ ноутбуков в 2 раза
Компания Samsung сообщает о том, что её инженерам разработан первый четырёхгигабитный (1 ГБ) чип памяти DDR3 SDRAM.
Чип производится по 50-нанометровому техпроцессу, что и позволило значительно увеличить объём памяти. Кроме этого, переход на новый техпроцесс автоматически уменьшил энергопотребление и тепловыделение чипа. Так, удалось добиться снижения потребления энергии на 20-40%.
Таким образом, теперь максимальный объём одной планки памяти для ноутбука составляет 8 ГБ, а для десктопных решений — все 16 ГБ. Подобные планки могут быть успешно использованы в серверах и других рабочих станциях, создаваемых для решения ресурсоёмких задач, связанных с обработкой аудио- и видеоинформации.
Тем не менее, когда Samsung начнёт массовое производство памяти с новыми чипами, пока неизвестно.
© CyberStyle.ru
Чип производится по 50-нанометровому техпроцессу, что и позволило значительно увеличить объём памяти. Кроме этого, переход на новый техпроцесс автоматически уменьшил энергопотребление и тепловыделение чипа. Так, удалось добиться снижения потребления энергии на 20-40%.
Таким образом, теперь максимальный объём одной планки памяти для ноутбука составляет 8 ГБ, а для десктопных решений — все 16 ГБ. Подобные планки могут быть успешно использованы в серверах и других рабочих станциях, создаваемых для решения ресурсоёмких задач, связанных с обработкой аудио- и видеоинформации.
Тем не менее, когда Samsung начнёт массовое производство памяти с новыми чипами, пока неизвестно.
© CyberStyle.ru
Ещё новости по теме:
18:20