Новые чипы памяти Samsung DDR3 позволяют создавать 4-Гб модули

Samsung сообщила о выпуске первых 2-гигабитных (256 Мб) чипов памяти DDR3. Добиться такой плотности удалось благодаря использованию 50-нм техпроцесса. Новые чипы в 2 раза превышают по емкости самые совершенные чипы из присутствующих на рынке. Двусторонняя планка памяти из 16 чипов DDR3 может теперь иметь суммарный объем 4 Гб. Модули памяти для ноутбуков так же могут теперь вдвое увеличить объем.

Так же было уменьшено и энергопотребление: 2-Гбит чипы памяти теперь потребляют на 40 % меньше энергии, чем старые 1-Гбит. Благодаря увеличенной полосе пропускания новой памяти скорость передачи данных возросла на 60 %.

Массовое производство новых чипов начнется уже этой осенью.

Источник: Guru of 3D