Sony представила прототип полупроводникового лазера для проекторов

Корпорация Sony на прошлой неделе объявила о создании полупроводникового лазера с рекордными показателями световой мощности в 7,2 Вт. Лазер, излучающий на длине волны 635 нм, является сборкой из полосковых полупроводниковых структур (всего их 25) длиной около 10 мм, смонтированных на поверхности медного радиатора.

Сборка потребляет ток 14 А при напряжении 2,2 В, при этом эффективность преобразования электрической энергии в световую составляет 23%, а рабочая температура полупроводника равна 25 градусам Цельсия. Расхождение луча в вертикальном направлении составляет 42 градуса, в горизонтальном - 10 градусов.

Рекордных показателей удалось добиться за счет улучшения однородности пленки активного слоя, высокого уровня очистки AlInP-полупроводников, играющих роль покрывающего слоя, а также введения в него добавок магния, формирующих проводимость p-типа. Кроме того, была применена новая технология соединения полупроводника c радиатором, которая обеспечила эффективный теплосъём.

Sony рассчитывает на дальнейшее развитие новой технологии, которая в скором времени приведет к появлению различных проекционных установок с использованием полупроводниковых лазеров в качестве источника света, сообщает пресс-релиз компании.

CNews.ru, 28.08.2008