Ученые ускорили работу памяти ОЗУ в 30 раз, в теории

Ученые из Германии создали прототип памяти типа MRAM (магниторезистивная память со случайным доступом), которая в теории может быть в 30 раз быстрее по сравнению с традиционной памятью ОЗУ, сообщает techradar.com.

Память MRAM представляет собой наномагниты, которые могут иметь разную полярность и, соответственно, нести разное значение бинарного кода (ноль или единицу).

Разработкой магниторезистивной памяти занимаются компании IBM и Toshiba. Немецким ученым удалось сократить время изменения состояния наномагнитов и повысить скорость работы до значения, ранее не достижимого. Запись информации в новой памяти происходит за 1 наносекунду - в 10 раз быстрее, чем в других прототипах. По словам разработчиков, скорость, которую они достигли, является пределом скорости работы памяти данного типа.