10-нм техпроцесс будет введен в 2012 году

По мнению официальных представителей корпорации Intel, в 2012 г. производители микрочипов перейдут на 10-нм технологический процесс. Через четыре года, после начала использования 450-мм кремниевых подложек, компании, владеющие собственными фабриками по изготовлению полупроводников, смогут делать транзиторы величиной 10 и менее нанометров, считает вице-президент Intel Digital Enterprise Group Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger), ставший одним из создателей процессора Intel 80386 в 1985 г.

В настоящий момент Intel выпускает процессоры Penryn с транзисторами величиной 45 нм. В следующем году планируется переход на 32-нм технологию, а еще через несколько лет – на 14-нм, пишет crn.com.

Гелсингер также поделился своими соображениями об изменениях в полупроводниковой индустрии. По его словам, в связи с дорогостоящим переходом с 300-мм подложек текущего поколения на 450-нм в течение следующих нескольких лет игроки рынка будут объединяться, в то время как маленькие компании не смогут выдержать конкуренции и прекратят свое существование. "Мы хотели построить сотни предприятий по выпуску микросхем. Сейчас мы видим десятки из них. Когда индустрия перейдет на 450-мм подложки, останутся единицы", - говорит эксперт.