Renesas анонсировала два вида 4 Гбит микросхем AG-AND

Компания Renesas Technology сообщила о выпуске 4 Гбит микросхем AG-AND, R1FV04G13R и R1FV04G14R, отличающихся высокой скоростью программирования – 10 Мбит/с. Образцы микросхем представлены заказчикам в Японии в сентябре, начало серийного производства запланировано на декабрь текущего года. Как ясно из типа, микросхемы предназначены для использования во всех устройствах, использующих NAND-флэш.


Характеристики Наименование R1FV04G13R R1FV04G14R Организация 512M words x 8 bits 256M words x 16 bits Техпроцесс 90 нм, ячейка AG-AND Напряжение питания 2,7~3,6 В Программирование Блок 2048 + 64 байта (1 страница) Время 600 µс (одновременно 4 банка) Стирание Блок 8192 + 256 байт Время 1 мс Чтение Первичный доступ 100 µс Цикл 45 нс Потребляемый ток (при 3,3 В) Режим ожидания 20 µА Операция 10 мА Температурный диапазон 0-70° С Корпусировка 48-контактный TSOP type I