SanDisk и Toshiba перешли к 43-нм NAND-памяти

Корпорация SanDisk совместно с японской компанией Toshiba сообщила о запуске производства NAND-памяти на базе технологии многоуровневых ячеек (Multi-Level Cell, MLC) по 43-нм техпроцессу. Новый технологический процесс обеспечивает вдвое большую плотность чипа по сравнению с 56-нм техпроцессом. Такой подход позволяет снизить стоимость кристалла, но при этом сохранить высокую производительность и надежность памяти.

SanDisk намерена начать поставки одночиповой MLC NAND-памяти с самой высокой на сегодняшний день плотностью хранения информации в течение II квартала 2008 г. Сначала компания планирует производить 16-гигабитные чипы, а во II половине 2008 г. – и 32-гигабитные чипы.

Изначально 43-нм флэш-память будет производиться на Fab 4, недавно запущенном совместном предприятии SanDisk и Toshiba по производству 300-мм кремниевых пластин. Во II половине 2008 г. ожидается переход на 43-нм техпроцесс и на Fab 3.

Помимо этого, компания SanDisk сообщила об успешной разработке новой технологии, позвляющей в одной ячейке NAND-памяти хранить до 3-х битов данных вместо 2-х ранее (так называемая технология "x3"). Как сообщает DailyTech, первые образцы такой памяти ожидаются в марте или апреле этого года.