Intel несет в массы 45-нм процессоры

На прошлой неделе корпорация Intel объявила об открытии в г. Чендлер, шт. Аризона нового завода Fab 32 по производству микропроцессоров на базе 45-нм технологического процесса. В транзисторах, созданных с помощью 45-нм техпроцесса, применяются диэлектрик high-k на основе гафния с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости (для изготовления изолирующего слоя затвора) и металлические материалы для изготовления самого затвора. Эти транзисторы, имеющие микроскопические размеры, позволят Intel выпускать быстродействующие и более энергоэффективные процессоры для настольных ПК, ноутбуков и серверов, а также процессоры со сверхнизким энергопотреблением для мобильных интернет-устройств, устройств бытовой электроники и недорогих ПК. На строительство завода было затрачено 3 млрд долларов. Его общая площадь составляет более 110 тыс. м2. На производстве задействовано более 1000 человек. Fab 32 - это шестой завод Intel, на котором используются 300-мм кремниевые подложки, и второй, который будет производить 45-нм процессоры. В январе корпорация начала выпуск подобных процессоров на экспериментальном заводе D1D в Орегоне. После открытия Fab 32 эта продукция будет запущена в массовое производство. В следующем году Intel планирует ввести в эксплуатацию еще два завода по изготовлению 45-нм процессоров с использованием 300-мм подложек: Fab 28 в Израиле в г. Кирьят-Гат и Fab 11X в Рио-Ранчо, шт. Нью-Мексико. Fab 32 станет одним из самых экологически безопасных предприятий Intel. На нем предусмотрен ряд мер по экономии энергии и воды. Кроме того, 45-нм производственный процесс позволит на 15% сократить выделение тепла в атмосферу. Начало выпуска новых процессоров запланировано на 12 ноября.