Первый в мире 30 нм 64 Гбит чип флэш-памяти от Samsung

Среда, 24 октября 2007 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Телеграм'e и Twitter'e

Мы недавно писали про то, что Toshiba готовится к переходу на 30 нм техпроцесс производства Flash-память в 2009 году. Этими шагами она надеется потеснить лидера данного рынка – Samsung Electronics.

Но сегодня Samsung не только сообщила о скором переходе на 30-нанометровые технологические нормы производства, но и объявила о создании первого в мире 30 нм чипа MLC (Multi Level Cell) NAND флэш-памяти объемом 64 Гбит (8 Гб).

Данное устройство является довольно важным шагом в направлении увеличения плотность флэш-памяти, и, по словам Samsung уже сейчас можно создать с помощью шестнадцати подобных чипов карту памяти объемом 128 Гб! Подобные достижения стали возможны благодаря новой технологии SaDPT (self-aligned double patterning technology – технология самовыравниваемого двойного шаблона) которая позволяет применять литографию с техпроцессами от 30 нм и менее.

Выход на рынок новых 64 Гбит MLC NAND чипов намечен на 2009 год, при этом, Samsung ожидает довольно большую прибыль, так как прогнозируется, что совокупный объем продаж компонентов данного объема в период с 2009 по 2011 год может достичь $20 млрд.

Источник:
Softpedia

Следите за нами в ВКонтакте, Телеграм'e и Twitter'e


Просмотров: 526
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003