Intel достигла некоторых успехов в 32 нм производстве

Вторник, 16 октября 2007 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Телеграм'e и Twitter'e

Корпорация Intel в лице главного вице-президента Ананда Чандрасихера (Anand Chandrasekher) продемонстрировала готовую 300 мм пластину, созданную по 32 нм технологическому процессу, что позволяет размещать на одном кристалле около 2 миллиардов транзисторов.

Однако, внедрение технологии на рынок планируется не ранее 2009 года. Это время потребуется для отладки процесса производства. Следует отметить, что примерно в это же Intel должна представить свою дискретную видеокарту Larabee. Возможно, она будет произведена по новому 32 нм техпроцессу.

Источник: Fudzilla

Следите за нами в ВКонтакте, Телеграм'e и Twitter'e


Просмотров: 456
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003