Fujitsu совершила прорыв в магнитной записи
Компания Fujitsu впервые в мировой практике успешно реализовала идеально упорядоченную решетку нанодоменов на базе окиси алюминия для изолированной побитной записи на поверхности жесткого диска. Кроме того, компания подтвердила принципиальную способность к чтению и записи каждого нанодомена при помощи традиционной технологии "парящей" над вращающимся диском головки.
Данный прорыв в области создания магнитных накопителей позволит в ближайшем будущем создавать 2,5-дюймовые жесткие диски, состоящие из двух пластин, с максимальной емкостью 1,2 ТБ. Ожидается, что первые такие диски поступят в продажу в 2010 г.
Впервые Fujitsu объявила о технологии терабитовой записи на магнитные пластины в январе 2007 г., когда был создан первый одномерный массив нанодоменов с упорядоченной структурой на основе окиси алюминия с шагом в 25 нм, что позволило выйти на плотность записи в 1 Тбит/кв. дюйм.
Технология алюминий-оксидного носителя с регулярной наноструктурой была разработана на базе перпендикулярной магнитной записи (PMR). При этом использовались методы литографического нанооттиска, анодного окисления и электролитического осаждения кобальта. Следует отметить, что шаг наноструктуры в 25 нм оптимально соответствует текущим возможностям производства магнитных головок.
Данный прорыв в области создания магнитных накопителей позволит в ближайшем будущем создавать 2,5-дюймовые жесткие диски, состоящие из двух пластин, с максимальной емкостью 1,2 ТБ. Ожидается, что первые такие диски поступят в продажу в 2010 г.
Впервые Fujitsu объявила о технологии терабитовой записи на магнитные пластины в январе 2007 г., когда был создан первый одномерный массив нанодоменов с упорядоченной структурой на основе окиси алюминия с шагом в 25 нм, что позволило выйти на плотность записи в 1 Тбит/кв. дюйм.
Технология алюминий-оксидного носителя с регулярной наноструктурой была разработана на базе перпендикулярной магнитной записи (PMR). При этом использовались методы литографического нанооттиска, анодного окисления и электролитического осаждения кобальта. Следует отметить, что шаг наноструктуры в 25 нм оптимально соответствует текущим возможностям производства магнитных головок.
Ещё новости по теме:
18:20