Электропроводящие полимеры: новый вариант хранения данных
Будущее электроники во многом связывают с развитием органических электропроводящих материалов. Один из новых вариантов хранения данных разработали ученые из национального университета Сингапура.
В статье, опубликованной в августовском номере журнала Organic Electronics, описан композиционный материал, состоящий из трех тонких слоев - подложки толщиной 40 мкм из проводящего полимера, среднего слоя в 50 нм из сополимерного материала и верхнего слоя из металлического золота толщиной 0,2 мкм.
Материал сохраняет прочность и гибкость при эксплуатации и имеет отличную термическую устойчивость - первые признаки термической деградации появляются лишь при 310 градусах Цельсия.
В новом материале реализован принцип хранения данных на основе резкого изменения электропроводности при подаче напряжения. При подаче на золотой электрод напряжения в диапазоне 0-4 В средний слой имеет очень низкую электропроводность. При увеличении напряжения свыше 4 В ток, протекающий через средний слой, резко меняется, возрастая почти в 100 раз. Состояние с низкой проводимостью отвечает "0" в системе хранения отдельных битов данных, а состояние с высокой проводимостью, соответственно, - "1".
Интересно, что состояние "1" сохраняется и при отключении напряжения, и при подаче отрицательного напряжения. Таким образом, однажды записанную информацию можно считывать много раз. Авторы не приводят данных о том, можно ли каким-либо образом возвращать ячейку памяти в состояние "0", делая тем самым процесс записи обратимым.
В статье, опубликованной в августовском номере журнала Organic Electronics, описан композиционный материал, состоящий из трех тонких слоев - подложки толщиной 40 мкм из проводящего полимера, среднего слоя в 50 нм из сополимерного материала и верхнего слоя из металлического золота толщиной 0,2 мкм.
Материал сохраняет прочность и гибкость при эксплуатации и имеет отличную термическую устойчивость - первые признаки термической деградации появляются лишь при 310 градусах Цельсия.
В новом материале реализован принцип хранения данных на основе резкого изменения электропроводности при подаче напряжения. При подаче на золотой электрод напряжения в диапазоне 0-4 В средний слой имеет очень низкую электропроводность. При увеличении напряжения свыше 4 В ток, протекающий через средний слой, резко меняется, возрастая почти в 100 раз. Состояние с низкой проводимостью отвечает "0" в системе хранения отдельных битов данных, а состояние с высокой проводимостью, соответственно, - "1".
Интересно, что состояние "1" сохраняется и при отключении напряжения, и при подаче отрицательного напряжения. Таким образом, однажды записанную информацию можно считывать много раз. Авторы не приводят данных о том, можно ли каким-либо образом возвращать ячейку памяти в состояние "0", делая тем самым процесс записи обратимым.
Ещё новости по теме:
18:20