Fujitsu: ток утечки снижен в 5 раз
Компания Fujitsu объявила о разработке новой производственной платформы для изготовления 45-нанометровых чипов LSI, которая позволит конструировать чипы с низким энергопотреблением и, в то же время, быстродействующими соединениями между элементами.
Как сообщает PhysOrg, переход на новую платформу позволит снизить токи утечки почти в пять раз по сравнению с традиционными технологиями производства 45-нм чипов. Соответственно, снизилось общее энергопотребление чипа. Удалось также увеличить быстродействие на 14% благодаря изменениям геометрических параметров затвора транзисторов и оптимизации расположения соединительных проводников.
Как говорят представители компании, полученные результаты по быстродействию чипов превосходят контрольные показатели, определенные для 45-нм техпроцесса картой International Technology Roadmap for Semiconductors.
Согласно прогнозам новая технология будет реализоваться в промышленных масштабах с 2008 года.
Впечатляющего результата удалось достичь за счет использования целого комплекса новых технологий и производственных методик.
Ранее специалистам Fujitsu удалось показать, что формирование более плоских участков стока и истока транзисторов является эффективным методом снижения токов утечки, однако при этом происходит деградация других характеристик. Использование новой миллисекундной технологии отжига (millisecond annealing, MSA) позволило обеспечить снижение токов утечки без снижения других характеристик транзисторов.
В новых микросхемах используется нанокластерный кремний (nano-clustering silica, NCS). По информации Fujitsu, он обладает наивысшим для тонких пленок показателем диэлектрической проницаемости (k=2,25) и хорошими механическими характеристиками. Использована сложная структура проводников (технология 9Cu + 1Al). Компания начала использовать NCS еще в 65-нм технологии; в 45-нм процессе NCS используется не только в межпроводниковой изоляции, но и для изоляции слоев, что позволит еще больше снизить значение паразитной емкости.
Исследовательская программа LSI (Large-Scale Integration) компании Fujitsu предполагает разработку новаторских схемотехнических решений для логических цепей и модулей памяти, новых физических методов передачи по электрическим и оптическим линиям, разработку архитектуры, которая позволит обеспечить снижение энергопотребления в чипах с высокой степенью интеграции, а также обеспечение возможностей тестирования логики и памяти.
19 июня 2007 года о начале производства LSI по технологии 45-нм на фабрике в Уозу в центральной Японии объявила компания Panasonic.
Как сообщает PhysOrg, переход на новую платформу позволит снизить токи утечки почти в пять раз по сравнению с традиционными технологиями производства 45-нм чипов. Соответственно, снизилось общее энергопотребление чипа. Удалось также увеличить быстродействие на 14% благодаря изменениям геометрических параметров затвора транзисторов и оптимизации расположения соединительных проводников.
Как говорят представители компании, полученные результаты по быстродействию чипов превосходят контрольные показатели, определенные для 45-нм техпроцесса картой International Technology Roadmap for Semiconductors.
Согласно прогнозам новая технология будет реализоваться в промышленных масштабах с 2008 года.
Впечатляющего результата удалось достичь за счет использования целого комплекса новых технологий и производственных методик.
Ранее специалистам Fujitsu удалось показать, что формирование более плоских участков стока и истока транзисторов является эффективным методом снижения токов утечки, однако при этом происходит деградация других характеристик. Использование новой миллисекундной технологии отжига (millisecond annealing, MSA) позволило обеспечить снижение токов утечки без снижения других характеристик транзисторов.
В новых микросхемах используется нанокластерный кремний (nano-clustering silica, NCS). По информации Fujitsu, он обладает наивысшим для тонких пленок показателем диэлектрической проницаемости (k=2,25) и хорошими механическими характеристиками. Использована сложная структура проводников (технология 9Cu + 1Al). Компания начала использовать NCS еще в 65-нм технологии; в 45-нм процессе NCS используется не только в межпроводниковой изоляции, но и для изоляции слоев, что позволит еще больше снизить значение паразитной емкости.
Исследовательская программа LSI (Large-Scale Integration) компании Fujitsu предполагает разработку новаторских схемотехнических решений для логических цепей и модулей памяти, новых физических методов передачи по электрическим и оптическим линиям, разработку архитектуры, которая позволит обеспечить снижение энергопотребления в чипах с высокой степенью интеграции, а также обеспечение возможностей тестирования логики и памяти.
19 июня 2007 года о начале производства LSI по технологии 45-нм на фабрике в Уозу в центральной Японии объявила компания Panasonic.
Ещё новости по теме:
18:20