Infineon и IBM представили 16-мегабитную память MRAM

Infineon Technologies и представили 16-Мбитный чип магнитно-резистивной оперативной памяти (MRAM), самый емкий в своем классе, сообщает NE Asia Online.
Магнитно-резистивная память обладает более высокими скоростными характеристиками, чем NAND и NOR флэш,- в миллион раз быстрее записывается и в 3 - 1000 раз быстрее считывается соответственно, и потребляет меньше энергии. Это позволяет говорить о принятии ее в будущем за основу для мобильной электроники.
Демонстрационный модуль реализован по 0,18-микронной технологии, имеет время доступа 30-40 нс. MRAM представляет собой ячейки с однотранзисторным соединением по одному магнитному тоннелю (1T1MTJ) и интерфейс типа SRAM, преобладающий в мобильной памяти. Высокая емкость была достигнута за счет снижения площади ячейки. Память использует новый ускоренный драйвер записи и несколько усовершенствований для уменьшения энергопотребления.
Чип MRAM состоит из трех металлических слоев 1T1MTJ: заземляющая смесь, линия записи слова (WWL) и битовая линия (BL). Первая позволяет размещать большие непрерывные массивы информации.