Samsung разработал компактный модуль памяти DIMM

Компания Samsung Electronics сообщила о разработке первого модуля памяти DIMM на основе сквозь кремниевой технологии (Throught Silicon Via - TSV), благодаря которой удалось уменьшить размер модуля, повысить быстродействие и снизить энергопотребление памяти в целом.
Новый модуль состоит из двухгигабитных контейнеров памяти DRAM. Общая емкость платы составляет 4 ГБ. Каждый контейнер DRAM в свою очередь состоит из четырех чипов памяти емкостью 512 мегабит, уложенных вместе и представляющих собой единый блок под названием WSP (Wafer-level-processed Stacked Package).
В плате для передачи электрических импульсов используются крошечные отверстия в кремнии, высверленные лазером и заполненные медью. В то время как на традиционных платах памяти используются широкие металлические дорожки, что заставляет изготавливать модули с большими размерами.

Модуль памяти Samsung DIMM на основе TSV
По словам представителей компании, инновационная технология укладки чипов на основе сквозь кремниевых отверстий может быть использована не только для создания более компактных и емких модулей памяти, спрос на которые растет с каждым днем, но и для конструирования одночиповых компьютерных систем.