Samsung разработал компактный модуль памяти DRAM

Понедельник, 23 апреля 2007 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Телеграм'e и Twitter'e

Samsung Electronics сообщил о разработке первого модуля памяти DRAM на основе технологии TSV (throught silicon via), которая позволила уменьшить размер модуля, повысить его быстродействие и снизить энергопотребление.
Новый модуль состоит из 2-гигабитных контейнеров памяти DRAM. Общая емкость платы составляет 4 ГБ. Каждый контейнер DRAM в свою очередь состоит из четырех чипов памяти емкостью 512 мегабит, уложенных вместе и представляющих собой единый блок под названием WSP (wafer-level-processed stacked package).
В плате на основе технологии TSV для передачи электрических импульсов используются крошечные отверстия в кремнии, высверленные лазером и заполненные медью. В то время как на традиционных платах памяти используются широкие металлические дорожки, что заставляет изготавливать модули с большими размерами.

Модуль Samsung на основе TSV
По словам представителей компании, инновационная технология укладки чипов на основе TSV может быть использована не только для создания более компактных и емких модулей памяти, спрос на которые растет с каждым днем, но и для конструирования одночиповых компьютерных систем.

Следите за нами в ВКонтакте, Телеграм'e и Twitter'e


Просмотров: 1082
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003