Toshiba открывает чипам путь ниже 45 нанометров
Компания Toshiba анонсировала очередной прорыв в визуализации наноэлектронных процессов.
Новый метод, основанный на SSRM-микроскопии, позволяет анализировать пути распространения зарядов в наноэлектронике с точностью до 1 нанометра. Это может привести к более быстрому переходу на чипы, изготовленные по техпроцессу ниже 45 нанометров.
Как сообщает PhysOrg, метод был представлен на международном симпозиуме по физике надежности (International Reliability Physics Symposium), который сейчас проходит в Аризоне, США.
Известная на сегодняшний день сканирующая микроскопия сопротивления растекания (Scanning spreading resistance microscopy -SSRM) – основная технология для двумерного картографирования сопротивлений в микро- и наноэлектронных устройствах. Подобная диагностика наносистем необходима для дальнейшего перехода на 45-нанометровый техпроцесс.
Традиционный SSRM лимитирован по разрешению до 5 нанометров из-за водяного пара, попадающего на образец из окружающей среды при исследовании, поэтому результаты проверки наноэлектронных цепей не позволяют с точностью говорить о наличии примесей в устройствах, изготовленных по техпроцессу ниже 45-нанометрового.
Специалисты из Toshiba смогли использовать вакуумную камеру для изоляции образца и оборудования от окружающего воздуха, и, таким образом, предел разрешения удалось поднять до 1 нанометра. На сегодняшний день это наиболее точное разрешение SSRM-техники.
Теперь компания планирует использовать модернизированный SSRM для контроля производства чипов по 45-нанометровому техпроцессу.
Новый метод, основанный на SSRM-микроскопии, позволяет анализировать пути распространения зарядов в наноэлектронике с точностью до 1 нанометра. Это может привести к более быстрому переходу на чипы, изготовленные по техпроцессу ниже 45 нанометров.
Как сообщает PhysOrg, метод был представлен на международном симпозиуме по физике надежности (International Reliability Physics Symposium), который сейчас проходит в Аризоне, США.
Известная на сегодняшний день сканирующая микроскопия сопротивления растекания (Scanning spreading resistance microscopy -SSRM) – основная технология для двумерного картографирования сопротивлений в микро- и наноэлектронных устройствах. Подобная диагностика наносистем необходима для дальнейшего перехода на 45-нанометровый техпроцесс.
Традиционный SSRM лимитирован по разрешению до 5 нанометров из-за водяного пара, попадающего на образец из окружающей среды при исследовании, поэтому результаты проверки наноэлектронных цепей не позволяют с точностью говорить о наличии примесей в устройствах, изготовленных по техпроцессу ниже 45-нанометрового.
Специалисты из Toshiba смогли использовать вакуумную камеру для изоляции образца и оборудования от окружающего воздуха, и, таким образом, предел разрешения удалось поднять до 1 нанометра. На сегодняшний день это наиболее точное разрешение SSRM-техники.
Теперь компания планирует использовать модернизированный SSRM для контроля производства чипов по 45-нанометровому техпроцессу.
Ещё новости по теме:
18:20