Renesas создал "безошибочную" SRAM

Корпорация Renesas Technology объявила о создании первой в индустрии SRAM памяти практически на допускающей случайных сбоев. Память была названа superSRAM, Она представляет собой комбинацию ячеек SRAM с низким энергопотреблением и технологии накопителей DRAM. Такая память может быть использована в мобильных телефонах и других портативных устройствах. Пока выпущен 16-Мбитный модуль.
Компании удалось добиться увеличения рейтинга устойчивости к случайным ошибкам за счет включения циллиндрического накопителя в каждый узел хранилища, наподобие тех, которые используются в ячейках DRAM. Продукт проверялся на устойчивость к альфа-излучению и показал отсутствие ошибок. Таким образом, проблема случайных ошибок, остро стоявшая перед производителями памяти для мобильных устройств, оказалась разрешенной.
Новый модуль побил еще один рекорд - его ячейки памяти самые маленькие в индустрии SRAM - 0,98 кв.микрон. Они выполнены на тонкопленочных транзисторах, а сам чип - по 0,15 микронному процессу производства. Сила тока, необходимая для поддержания зарядов в ячейках памяти, составляет менее 1 микроампера. В отличие от псевдо-SRAM, использующей ячейки DRAM, новая память не нуждается в "освежении" ячеек. Это позволяет в десятки раз снизить потребляемый ток по сравнению с псевдо-SRAM.