Toshiba и Samsung - на шаг ближе к чипам нового поколения

Toshiba и Samsung Electronics достигли существенного прогресса в собственных независимых проектах по разработке и созданию чипа, который на два поколения опережает самые совершенные на сегодня процессоры. Задача проектов - создание чипов по 45-нанометровому технологическому процессу. Для сравнения, процессоры последнего поколения созданы по 90-нанометровому технологическому процессу, а выпуск процессоров следующей ступени, изготовленных по 65-нанометровому процессу ожидается самое раннее в начале 2005 г. Каждый технологический прыжок дает производителям процессоров возможность создавать все более мощные и продвинутые чипы, одновременно уменьшая их размеры и снижая уровень энергопотребления.
Вначале Toshiba опубликовала заявление, согласно которому компания достигла существенных успехов в разработке высокопроизводительного металл-оксидного полевого транзистора, который является частью полупроводника. Транзистор использует технологию оксидного слоя затвора для борьбы с утечками тока, которые, скорее всего, станут главной проблемой при работе чипов нового поколения ввиду их низкого уровня энергопотребления. Компания также заявила, что разработала технологию многослойной связи, специально предназначенную для чипов изготовленных по 45 нм технологическому процессу.
В свою очередь, Samsung заявил, о разработке технологии производства трехмерных транзисторов, которые буду использованы в 50-нанометровых чипах. Ранее в этом году, Sony и Toshiba достигли договоренности об объединении усилий по разработке 45 нм технологии производства процессоров.