Samsung начала производство 60-нм чипов памяти

Как стало известно редакции THG.ru, корпорация Samsung приступила к производству чипов памяти DDR2 по техпроцессу 60 нм. Компания сообщает, что новый техпроцесс позволяет добиться существенного увеличения выхода чипов с пластины, до 40% по сравнению 80-нм производством и двухкратного по сравнению с 90 нм.


Новый техпроцесс как нельзя кстати в свете перехода пользователей на операционную систему Windows Vista, которая накладывает дополнительные требования к объему оперативной памяти. Так, например, для Windows XP достаточно 1 Гб памяти, тогда как для комфортной работы с операционной системой Vista требуется 2 Гб памяти. Компания сообщает, что из ее новых 1 Гбит чипов памяти будут комплектоваться модули по 512 Мб, 1 Гб и 2 Гб. Частота работы составит 667 МГц или 800 МГц.

Также как и в 80-нм чипах, компания использовала технологию RCAT (recess channel array transistor), которая предполагает "трехмерный" дизайн чипа. Данная технология позволяет добиться меньших габаритов кристалла, повышения предельных токов через транзисторы, увеличивает быстродействие и период обновления заряда. RCAT может быть применена к еще более точным техпроцессам, пока Samsung указывает на техпроцесс 50 нм.