Память GDDR4 от Samsung

Samsung анонсировала новую память GDDR4, имеющую пропускную способность до 4 Гбит/с. По словам компании, это почти вдвое быстрее, чем существующие модули GDDR4 на 2,4 Гбит/с.

Достигнут этот результат с помощью перевода производства чипов с 90 нм на 80 нм, что позволило сделать их меньше, а частоту работы повысить.

Первым модулем GDDR4, работающим на такой скорости будет 512 Мбит чип. Образцы поступят заинтересованным компаниям уже в этом месяце, а массовое производство начнется чуть позже.

Источник: Guru3D