Intel открыл в Ирландии новейшее производство подложек
Компания Intel объявила о том, что на ее заводе Fab 24 в ирландском городе Лейкслипе запущена в эксплуатацию новая поточная линия по производству 300-миллиметровых подложек на основе 90-нанометрового технологического процесса. Общая стоимость нового производства составляет $2 млрд.
Fab 24 – уже четвертый по счету завод Intel, выпускающий подложки диаметром 300 мм, что позволяет корпорации выпускать в 2,5 раза больше процессоров в расчете на одну подложку. Кроме того, Fab 24 - третий по счету завод, где выпускаются микросхемы с проектной нормой 90 нанометров.
300-миллиметровые подложки позволяют сократить производственные затраты, включая затраты на производство отдельных компонентов, на 30%. Кроме того, новая технология производства требует на 40% меньше используемой энергии и воды для выпуска одной микросхемы, чем технологии предыдущих поколений. Технология производства с проектной нормой 90 нм позволяет удвоить количество транзисторов на одной микросхеме. Также впервые используется технология так называемого «напряженного кремния», чтобы ускорить работу транзисторов. Технология «напряженного кремния» позволяет повысить производительность процессора. Когда же повышенной производительности не требуется, технология позволяет сократить количество потребляемой процессором энергии.
Другие заводы по производству подложек 300 мм расположены в Хиллсборо, штат Орегон, и Рио-Ранчо, штат Нью-Мехико.
Fab 24 – уже четвертый по счету завод Intel, выпускающий подложки диаметром 300 мм, что позволяет корпорации выпускать в 2,5 раза больше процессоров в расчете на одну подложку. Кроме того, Fab 24 - третий по счету завод, где выпускаются микросхемы с проектной нормой 90 нанометров.
300-миллиметровые подложки позволяют сократить производственные затраты, включая затраты на производство отдельных компонентов, на 30%. Кроме того, новая технология производства требует на 40% меньше используемой энергии и воды для выпуска одной микросхемы, чем технологии предыдущих поколений. Технология производства с проектной нормой 90 нм позволяет удвоить количество транзисторов на одной микросхеме. Также впервые используется технология так называемого «напряженного кремния», чтобы ускорить работу транзисторов. Технология «напряженного кремния» позволяет повысить производительность процессора. Когда же повышенной производительности не требуется, технология позволяет сократить количество потребляемой процессором энергии.
Другие заводы по производству подложек 300 мм расположены в Хиллсборо, штат Орегон, и Рио-Ранчо, штат Нью-Мехико.
Ещё новости по теме:
18:20