Создан nand флэш-накопитель объемом 16 гигабит

Пятница, 26 января 2007 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

На днях компания Toshiba Corporation заявила об окончании разработки NAND флэш-памяти с самой высокой, на данный момент, плотностью записи. Она производится по 56-нм технопроцессу, что позволило получить чипы объемом в 16 гигабит (2 гигабайта) и 8 гигабит (1 гигабайт).



Первые инженерные образцы в ограниченном количестве были получены еще в конце 2006 года, а сейчас доступны модули объемом 8 гигабит, которые основываются на технологии multi-level cell (MLC). Карточки на 16 гигабит компания планирует начать поставлять лишь в конце марта.

Принятие технологии MLC совместно с улучшением микропрограмм, контролирующих работу памяти, позволило также увеличить скорость записи/чтения, которые достигают 10 мегабайт в секунду. Что в два раза превышает производительность предыдущих продуктов компании, выполненных по технологии NAND. Если подобные продукты будут иметь разумную цену, то в скором времени мы действительно сможем попрощаться с шумными, горячими и потребляющими много энергии жесткими дисками.

Источник:
www.i4u.com

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 435
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003