SanDisk займется выпуском 56-нанометровых чипов NAND

Компания SanDisk анонсировала планы по выпуску 56-нанометровых многоуровневых чипов флэш-памяти MLC NAND совместно с Toshiba на заводе Fab 3 в Японии. К весне 2007 г. SanDisk намерена поставлять одночиповую флэш-память MLC NAND, обладающую наибольшей на сегодня плотностью распределения данных, сообщает агентство Reuters.
С завершением этапа доработки экспериментальных экземпляров SanDisk намерена представить новый одночипный модуль флэш-памяти MLC NAND объемом 8 Гбит (1 ГБ), выполненный по 56-нанометровой технологии, коммерческие поставки которого намечены на конец 1 квартала. Также компания планирует представить модуль NAND объемом 16 Гбит (2 ГБ) во 2 квартале 2007 г.
С внедрением 56-нанометровой и 16-гигабитной технологий SanDisk начинает развертывание флэш-памяти MLC NAND пятого поколения, заявил исполнительный вице-президент Рандхир Такур (Randhir Thakur). Новая технология почти в два раза улучшает производительность памяти по сравнению с 70-нанометровой технологией.
Также SanDisk заявляет, что к концу 2007 г. новый завод Fab 4, который находится сейчас в стадии строительства, также начнет выпуск продукции по 56-нанометровой технологии.