Samsung показала 1 Гбит мобильные DRAM
В течении последних месяцев компания Samsung сообщала о некоторых успехах в области разработки различного рода полупроводниковых компонентов, что не может не радовать, так как новые технологии это более совершенные подарки к Новому Году. Компания объявляла, что ей удалось выпустить образец 50-нм чипа DDR2, разработать технологический процесс, позволяющий объединить 16 микросхем памяти в один мультичиповый модуль (MCP), выпустить OneDRAM память для мобильных устройств. На этом компания не остановилась. На днях ей были анонсированы 1 Гбит мобильные DRAM чипы памяти.
Новые 1 Гбит чипы памяти произведены по техпроцессу 80 нм, что позволяет достичь достаточно небольших размеров кристалла. Кроме этого, благодаря некоторым усовершенствованиям удалось добиться низкого энергопотребления. Компания сообщает, что при определенных условиях энергопотребление может составить на 30% меньше.
Массовое производство должно начаться в течении второго квартала 2007 года. Поэтому не за горами тот день, когда новые чипы памяти будут обнаружены в мобильных устройствах.
Новые 1 Гбит чипы памяти произведены по техпроцессу 80 нм, что позволяет достичь достаточно небольших размеров кристалла. Кроме этого, благодаря некоторым усовершенствованиям удалось добиться низкого энергопотребления. Компания сообщает, что при определенных условиях энергопотребление может составить на 30% меньше.
Массовое производство должно начаться в течении второго квартала 2007 года. Поэтому не за горами тот день, когда новые чипы памяти будут обнаружены в мобильных устройствах.
Ещё новости по теме:
18:20