Samsung создала 1Gbit модули DRAM

Четверг, 28 декабря 2006 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Телеграм'e и Twitter'e

Корпорация Samsung разработала новые 1Gbit DRAM модули для мобильных телефонов. Они используют все прелести 80nm технологии и их массовое производство будет начато во второй половине 2007 года. Новые чипы, так же известные как DDR низкого энергопотребления или синхронизированные DRAM, позволят увеличить объем памяти в мобильниках будущего до 1 или 2 Гб.

Следите за нами в ВКонтакте, Телеграм'e и Twitter'e


Просмотров: 398
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Июнь 2024: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30