Samsung создала чип Mobile DRAM объёмом 1 Гбит

Компания Samsung Electronics объявила о том, что она разработала чип памяти для мобильных телефонов Mobile DRAM объёмом 1 Гбит. Как утверждает компания, это первый в мире модуль с такими параметрами. При создании чипа использовалась 80-нанометровая технология. Samsung рассчитывает, что такой чип будет более экономически эффективным, чем другие решения высокой ёмкости, которые используются во многих продвинутых мобильниках, цифровых камерах плеерах и прочей портативной электронике. В новом чипе используется та же технология сборки, что и в 1 Гбитных модулях состоящих из двух 512 Мбитных чипов, которые широко используются сейчас. При этом он обеспечивает на 30% меньшее энергопотребление в режиме ожидания. Кроме того, он более компактен и как минимум на 20% тоньше. Он предоставляет возможности для создания 1,5 Гбитных и даже 2 Гбитных модулей. Планируется, что массовое производство таких чипов начнётся во втором квартале 2007 года. Как ожидает компания, в это время спрос на чип будет очень высок.