Мировой рекорд: транзистор с частотой 847 ГГц
Группа сотрудников из Иллинойского Университета объявила о разработке нового транзистора с частотой 845 ГГц. Новый транзистор превосходит предыдущий мировой рекорд на целых 300 ГГц.
Отличительной особенностью новинки является ее компактность, толщина базы транзистора составляет всего 12,5 нм. Столь высокая частотная характеристика транзистора была достигнута, благодаря переориентации расстояния перехода в вертикальную плоскость.
Отличительной особенностью новинки является ее компактность, толщина базы транзистора составляет всего 12,5 нм. Столь высокая частотная характеристика транзистора была достигнута, благодаря переориентации расстояния перехода в вертикальную плоскость.
Ещё новости по теме:
18:20