Разработан метод управления магнитным полем в тонких магнитных пленках

Физики из университетов Бата, Бристоля и Лидса под руководством проф. Саймона Бендинга (Simon Bending) разработали способ точного управления распределением магнитного поля в тонких магнитных пленках, сообщает EurekAlert. Новый метод может быть использован для создания магнитных устройств хранения информации.
Чтобы локально изменять магнитное поле в кобальтовых пленках толщиной всего в несколько атомов, ученые использовали пучок высокоэнергетичных ионов галлия. Направление магнитного поля "вверх" или "вниз" соответствует логическим "нулю" и "единице".
Считывание направления магнитного поля в отдельных областях производится путем измерения их электрического сопротивления. Скорость этого процесса значительно превышает скорость считывания информации в современных жестких дисках. Направление магнитного поля может быть изменено с помощью короткого импульса электрического тока. Таким образом, новая магнитная память соответствует всем требованиям, предъявляемым к быстрым магнитным устройствам хранения информации.
По словам ученых, эти результаты предлагают новый путь создания магнитных запоминающих устройств высокой плотности, информация в которых не будет теряться при отключении питания, а быстрая запись и считывание данных будут осуществляться только с использованием электрического тока.