Samsung представила самый тонкий чип памяти DDR2
Samsung Electronics выпустила чип DDR2 памяти, созданный по 50 нм нормам техпроцесса. Очень маленькой толщины чипа компания смогла добиться, благодаря использованию трехмерного дизайна транзисторов.
"Разработкой 50 нм DRAM мы подтверждаем наше лидерство и предоставляем покупателям не только более выгодные предложения, но и лучшие продукты", - сказал Нэм Йонг Чо (Nam Yong Cho), исполнительный вице-президент Samsung Electronics по продаже и продвижению памяти.
Новый 1 Гб модуль памяти, созданный на 50 нм техпроцессе производства, на 55% меньше по сравнению с таким же модулем, но созданным с использованием 65 нм технологического процесса, кроме того, он дешевле и обладает меньшим энергопотреблением.
Однако, Samsung сказала, что массовое производство памяти с использованием нового техпроцесса назначено на начало 2008 года, т. е. лишь через год.
По словам Samsung, новый процесс производства использует технологию выборочного эпитаксиального выращивания транзистора (SEG Tr). Такой 3D транзистор имеет широкий электронный канал, который позволяет уменьшить энергопотребление и увеличить производительность памяти.
В дальнейшем, Samsung собирается использовать свою новую технологию RCAT (Recess Channel Array Transistor), тоже рассчитанную на 50 нм процесс производства. Технология RCAT позволит вдвое увеличить частоту работы DRAM памяти.
Напомним, что сейчас для производства памяти используется 80 нм техпроцесс.
Источник: XBitLabs
"Разработкой 50 нм DRAM мы подтверждаем наше лидерство и предоставляем покупателям не только более выгодные предложения, но и лучшие продукты", - сказал Нэм Йонг Чо (Nam Yong Cho), исполнительный вице-президент Samsung Electronics по продаже и продвижению памяти.
Новый 1 Гб модуль памяти, созданный на 50 нм техпроцессе производства, на 55% меньше по сравнению с таким же модулем, но созданным с использованием 65 нм технологического процесса, кроме того, он дешевле и обладает меньшим энергопотреблением.
Однако, Samsung сказала, что массовое производство памяти с использованием нового техпроцесса назначено на начало 2008 года, т. е. лишь через год.
По словам Samsung, новый процесс производства использует технологию выборочного эпитаксиального выращивания транзистора (SEG Tr). Такой 3D транзистор имеет широкий электронный канал, который позволяет уменьшить энергопотребление и увеличить производительность памяти.
В дальнейшем, Samsung собирается использовать свою новую технологию RCAT (Recess Channel Array Transistor), тоже рассчитанную на 50 нм процесс производства. Технология RCAT позволит вдвое увеличить частоту работы DRAM памяти.
Напомним, что сейчас для производства памяти используется 80 нм техпроцесс.
Источник: XBitLabs
Ещё новости по теме:
18:20