Новый источник ультрафиолета обеспечит освоение 12 нм технологии производства микросхем

Источник жесткого ультрафиолетового излучения, разработанный в университете центральной Флориды, в 30 раз превышает по мощности аналогичные разработки других групп. Его применение позволит создать технологию производства микросхем методом фотолитографии с более высоким, чем прежде, разрешением, что позволит в несколько раз уменьшить размер элементов чипов, что повысит их быстродействие и снизит энергопотребление.
Новый источник монохроматического ультрафиолета обеспечивает излучение с длиной волны 15,5 нм, что, по мнению разработчиков, позволит выйти на технологический уровень 12 нанометров в серийном производстве микросхем. В настоящее время промышленность вышла только на 65 нм технологию.
Более подробная информация о новой разработке будет представлена в разделе R&D.CNews.