Новый источник ультрафиолета обеспечит освоение 12 нм технологии производства микросхем

Четверг, 12 октября 2006 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Телеграм'e и Twitter'e

Источник жесткого ультрафиолетового излучения, разработанный в университете центральной Флориды, в 30 раз превышает по мощности аналогичные разработки других групп. Его применение позволит создать технологию производства микросхем методом фотолитографии с более высоким, чем прежде, разрешением, что позволит в несколько раз уменьшить размер элементов чипов, что повысит их быстродействие и снизит энергопотребление.
Новый источник монохроматического ультрафиолета обеспечивает излучение с длиной волны 15,5 нм, что, по мнению разработчиков, позволит выйти на технологический уровень 12 нанометров в серийном производстве микросхем. В настоящее время промышленность вышла только на 65 нм технологию.
Более подробная информация о новой разработке будет представлена в разделе R&D.CNews.

Следите за нами в ВКонтакте, Телеграм'e и Twitter'e


Просмотров: 660
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003

Май 2018: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31