Samsung создал первый чип памяти по 80-нм техпроцессу

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в мире чипов памяти DDR2 DRAM емкостью 1 Гбит, выполненных по 80-нм технологическому процессу. Производство доступных сегодня 1-гигабитных чипов DDR2 ведется по менее эффективному 90-нм техпроцессу.
Устройство, разработанное Samsung, имеет на 36% меньшие габаритные размеры, чем аналогичные по емкости 90-нм чипы - 11 x 11,5 мм против 11 x 18 мм. Более того, новый 1-гигабитный чип компактнее, чем 512-мегабитные чипы, выполненные по 90-нм процессу.

Чипы, выполненные по 90-нм и 80-нм техпроцессам

Большинство существующих на рынке устройств емкостью 1 Гбит в настоящее время используются в модулях большой емкости, применяемых в серверах. Память Samsung позволит объединять ее в модули форм-факторов DIMM и SODIMM емкостью 4 ГБ и 2 ГБ соответственно для использования в обычных пользовательских ПК.
В настоящее время, по данным Gartner, рынок чипов памяти DRAM в 2006 году оценивается в $28,7 млрд. Ожидается, что через два года объемы продаж возрастут до $37,8 млрд. Если сегодня 1-гигабитные чипы DRAM используются только в 8% модулей памяти, то к 2008 году этот показатель превысит 35%.