Новости бизнеса
Статьи
Аналитика
Бизнес технологии
Курс валют

Fujitsu разработал материал для 65nm 256Mbit FeRAM

Пятница, 4 августа 2006 г.

Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e

Американское подразделение Fujitsu Microelectronics представила новый материал для Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM). Он будет использован для изготовления 65nm 256Mbit FeRAM. Сам материал описывается формулами BiFeO3 или BFO. Разработчик уверен, что его структура максимально устойчиво справится с термическими процессами. Жизнь нового материала начнется с 2007 года.


Следите за нами в ВКонтакте, Facebook'e и Twitter'e


Просмотров: 473
Рубрика: Hi-Tech


Архив новостей / Экспорт новостей

Ещё новости по теме:

Новости бизнеса
Статьи
Аналитика
Бизнес технологии
Курс валют
Условия размещения рекламы

Наша редакция

Обратная связь

RosInvest.Com не несет ответственности за опубликованные материалы и комментарии пользователей. Возрастной цензор 16+.

Ответственность за высказанные, размещённую информацию и оценки, в рамках проекта RosInvest.Com, лежит полностью на лицах опубликовавших эти материалы. Использование материалов, допускается со ссылкой на сайт RosInvest.Com.

Архивы новостей за: 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003