Micron и Intel освоили 50-нм техпроцесс в производстве NAND

Компании Micron Technology и Intel анонсировали первую в мире флэш-память NAND, выполненную по 50-нанометровой технологии. Устройство объемом 4 ГБ было изготовлено на базе совместного предприятия IM Flash Technologies (IMFT).
Уже с 2007 года производители планируют освоить массовое производство целого ряда устройств на базе новой технологии. В совместном заявлении Micron и Intel говорится, что переход на 50-нанометровую технологию позволит удовлетворить растущий спрос на более емкие модули памяти NAND, используемые в широком спектре современных портативных устройств.
Micron и Intel основали компанию IM Flash Technologies в январе 2006 года для производства модулей флэш-памяти NAND под собственные нужды. Принадлежащий компании завод в штате Юта должен начать производство модулей в начале следующего года.
Основными конкурентами совместного предприятия IMFT являются компании SanDisk и Toshiba, объявившие недавно об открытии нового производства чипов NAND. Также в этом секторе прочно удерживает позиции компания Samsung, освоившая в этом году серийное производство NAND-чипов с объемом памяти 8 ГБ, выполненных по 60-нанометровой технологии, а также представившая первые мобильные ПК, оснащенные жестким диском на основе технологии NAND.