В ibm создали супербыстрый транзистор
Согласно сообщению агентства Рейтерc, чип был сделан путем соединения двух основных элементов полупроводниковой электроники: кремния с германия.
Глава исследовательского отдела полупроводниковых приборов IBM Bernie Meyerson заявил, что скорость работы нового транзистора достигает 500 ГГц, что более чем в 100 раз превышает тактовую частоту наиболее производительных существующих чипов ПК и более чем в 250 раз превышает частоту процессоров мобильных устройств. Такая частота работы транзистора достижима только в условиях приближении температуры к абсолютному нулю. Тем не менее, при комнатной температуре возможна работа транзистора на частоте 300 ГГц, что, согласитесь, тоже хорошо.
Однако, посткольку наука всегда идет на шаг впереди технологии, превращение инженерного образца в рабочий чип произойдет не ранее чем через несколько лет.
Глава исследовательского отдела полупроводниковых приборов IBM Bernie Meyerson заявил, что скорость работы нового транзистора достигает 500 ГГц, что более чем в 100 раз превышает тактовую частоту наиболее производительных существующих чипов ПК и более чем в 250 раз превышает частоту процессоров мобильных устройств. Такая частота работы транзистора достижима только в условиях приближении температуры к абсолютному нулю. Тем не менее, при комнатной температуре возможна работа транзистора на частоте 300 ГГц, что, согласитесь, тоже хорошо.
Однако, посткольку наука всегда идет на шаг впереди технологии, превращение инженерного образца в рабочий чип произойдет не ранее чем через несколько лет.
Ещё новости по теме:
18:20