BeSang и Albany Nanotech придают памяти объем

Молодая компания по разработке полупроводниковых микросхем BeSang, не имеющая собственных производственных мощностей, обнародовала данные о создаваемой ее специалистами "объемной" памяти.
В проекте участвует нанотехнологический колледж (College of Nanoscale Science and Engineering, CNSE) университета города Олбани. В рамках трехлетней программы, затраты на которую составят 1,1 млн. долл., BeSang воспользуется материальной базой CNSE.
Подробности разработки пока держатся в секрете. Известно, что внутри полупроводниковой микросхемы память располагается поверх слоя логических схем. Запатентованная технология "плавающей памяти" (floating memory) позволяет повысить скорость работы и плотность хранения данных.
Обычная технология "объемных" чипов оперирует компоновкой на уровне корпусов, а разработка BeSang "компонует" многослойные полупроводниковые приборы в пределах одного чипа, используя "бесшовные и неограниченные" соединения между слоями. В результате, как считают разработчики, удается получить экономичный и быстродействующий вариант памяти.
BeSang планирует лицензировать свое детище производителям автономной и встраиваемой памяти.
Интересно отметить, что компания была создана сравнительно недавно - в 2003 году, а возглавил ее Сан-Юн Ли (San-Yun Lee) - человек, который в свое время занимал руководящие посты в Samsung, IDT и Motorola. Источники финансирования компании не афишируются.
Источник: EE Times