Intel и Samsung представили чипы флэш-памяти ёмкостью 1 Гбит

Корпорация Intel объявила о разработке чипа флэш-памяти NOR ёмкостью 1 Гбит. Память NOR широко применяется производителями мобильных телефонов. Она характеризуется высокой надёжностью и большой скоростью чтения данных. Новая микросхема Intel произведена с использованием 65-нанометрового техпроцесса по технологии многоуровневых ячеек (Multi-Level Cell, MLC). Данная технология позволяет хранить в одной ячейке более одного бита информации. Поставки образцов чипов флэш-памяти NOR объёмом в 1 Гбит корпорация Intel намерена начать в текущем квартале. Практически одновременно с Intel о создании нового чипа флэш-памяти ёмкостью 1 Гбит сообщила южнокорейская компания Samsung. По информации CNET News, микросхема OneNAND изготовлена по 70-нанометровой технологии и может применяться как в мобильных телефонах, так и в других портативных гаджетах, например, карманных плеерах, цифровых фотоаппаратах и пр. Скорость чтения информации теоретически может достигать 108 Мб/с, что на 60 процентов выше аналогичного показателя для микросхем OneNAND, изготовленных по 90-нанометровому техпроцессу. Между тем, по мнению некоторых аналитиков, объём продаж флэш-памяти NAND в нынешнем году в десять раз превысит объём продаж памяти NOR (в пересчёте на биты). В частности, Samsung рассчитывает, что к 2008 году память OneNAND будет приносить не менее миллиарда долларов США в год. А к концу десятилетия данный показатель превысит полтора миллиарда долларов.