Seiko Epson создает первую в мире полимерную FeRAM
Корпорация Seiko Epson сообщает о создании органической сегнетоэлектрической памяти (FeRAM), выполненной на гибкой полимерной подложке. Хотя об успешных разработках в области FeRAM уже сообщили достаточно много компаний, Seiko Epson – первая, кто выполнил её на гибкой подложке.
Однотранзисторные (1Т) ячейки памяти Seiko Epson выполнены по технологическому процессу, использующему несколько шагов:
1. сначала методом напыления в вакууме на поликарбонатную пленку наносятся электроды истока и стока из золота/меди 2. наносится слой органического полупроводника F8T2 3. наносится слой сегнетоэлектрика P (VDF/TrFE) (сополимер фторида винилидена и фтороэтилена) 4. создается серебряный электрод затвора методом струйной печати с использованием "чернил", содержащих серебро
Площадь показанного на рисунке устройства, содержащего девять сегнетоэлектрических ЗУ, составляет 15 кв. мм. Ширина затвора составляет 300 мкм, длина – 25, 35 или 45 мкм.
Созданные на полимерной основе однотранзисторные сегнетоэлектрические ячейки памяти работоспособны при напряжении записи +/- 15 В. Напряжение записи могло бы быть и выше – при толщине изолирующего слоя 0,78 мкм оно составило 75 В, поэтому его толщина была уменьшена до 0,13 мкм. Дальнейшее уменьшение оказалось невозможным из-за ухудшения гистерезисных характеристик, которые, собственно, и лежат в основе ЗУ. Подвижность носителей заряда является достаточно высокой – 0,00011 кв. см/(В*с).
Однотранзисторные (1Т) ячейки памяти Seiko Epson выполнены по технологическому процессу, использующему несколько шагов:
1. сначала методом напыления в вакууме на поликарбонатную пленку наносятся электроды истока и стока из золота/меди 2. наносится слой органического полупроводника F8T2 3. наносится слой сегнетоэлектрика P (VDF/TrFE) (сополимер фторида винилидена и фтороэтилена) 4. создается серебряный электрод затвора методом струйной печати с использованием "чернил", содержащих серебро
Площадь показанного на рисунке устройства, содержащего девять сегнетоэлектрических ЗУ, составляет 15 кв. мм. Ширина затвора составляет 300 мкм, длина – 25, 35 или 45 мкм.
Созданные на полимерной основе однотранзисторные сегнетоэлектрические ячейки памяти работоспособны при напряжении записи +/- 15 В. Напряжение записи могло бы быть и выше – при толщине изолирующего слоя 0,78 мкм оно составило 75 В, поэтому его толщина была уменьшена до 0,13 мкм. Дальнейшее уменьшение оказалось невозможным из-за ухудшения гистерезисных характеристик, которые, собственно, и лежат в основе ЗУ. Подвижность носителей заряда является достаточно высокой – 0,00011 кв. см/(В*с).
Ещё новости по теме:
18:20