Elpida: модули памяти XDR DRAM объёмом 512 Мбит с тактовой частотой 4 ГГц

Японская компания Elpida Memory анонсировала начало выпуска компонентов памяти типа XDR DRAM объёмом 512 Мбит. Здесь используется разработанный компанией Rambus высокоэффективный интерфейс памяти XDR с малым временем ожидания.


Новая память (EDX5116ACSE) отличается увеличенным по сравнению с предыдущей серией быстродействием — тактовая частота составляет 4 ГГц, что обеспечивает пропускную способность в 8 Гб/с. Память нацелена на использование в цифровой бытовой электронике — телевизорах высокого разрешения (HDTV), игровых консолях и домашних медиацентрах, которые предъявляют повышенные требования к пропускной способности памяти для поддержки 3D-графики, цифрового видео и "продвинутых" мультимедийных функций.
EDX5116ACSE организованы как восемь 16-битных банков объёмом 64 Мбит каждый (4M words x 16-bits x 8 banks). Микросхемы выполнены с использованием 90-нм техпроцесса и предлагаются в 104-контактных FBGA-корпусах. В новой памяти использованы такие возможности Rambus-архитектуры, как Differential Rambus Signal Level (технология, позволяющая осуществлять передачу данных через множество каналов с очень низкой амплитудой) и Octal Data Rate (передача 8 бит за один такт).
В настоящее время доступны образцы EDX5116ACSE, серийный выпуск должен начаться позже.
Источник: Elpida Memory